一种红外吸收层及应用其的红外热电堆探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种红外吸收层及应用其的红外热电堆探测器，包括钨层、第一氮化硅层、第一二氧化硅层和第二氮化硅层，所述钨层、第一氮化硅层、第一二氧化硅层和第二氮化硅层依次设置。本实用新型使用钨、氮化硅、二氧化硅材料构红外吸收层，引入CMOS常用材料钨，作为红外吸收层的组成部分，有效提高了硅复合膜结构的红外吸收效率，同时降低了同等吸收效率下红外吸收层的厚度与质量，钨通常作为CMOS工艺中通孔连接材料，可在CMOS工艺中完成集成电路的制备时，同时完成红外吸收层的制作，简化了红外探测器的制备流程，由于提高了红外吸收效率，红外探测器可在同等性能下缩小尺寸，进而降低成本。
基本信息
专利标题 ：
一种红外吸收层及应用其的红外热电堆探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123423716.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
CN216717612U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
宏宇武斌
申请人 ：
深圳市美思先端电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区招商局光明科技园B1B2栋B2-301
代理机构 ：
深圳市合道英联专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
廉红果
优先权 ：
CN202123423716.7
主分类号 ：
G01J5/12
IPC分类号 ：
G01J5/12 H01L35/02 H01L35/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
G01J5/10
用电辐射检测器
G01J5/12
用热电元件，例如热电偶
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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