一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构

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摘要

本实用新型公开了一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构，自下而上覆盖有碳化硅外延层、栅电极及层间介质层。所述碳化硅外延层的上端中间部位设置有若干第一导电类型接触区及第二导电类型接触区，所述若干第一导电类型接触区位于所述第二导电类型接触区中间，且沿MOSFET沟道长度方向间隔分布。所述栅电极覆盖于所述第二导电类型接触区上端的两侧，两侧栅电极之间的第一间距小于第二导电类型接触区的宽度且大于若干第一导电类型接触区的宽度。所述层间介质层覆盖于栅电极上，且两侧的层间介质层之间的第二间距小于若干第一导电类型接触区的宽度。如此，可提高元胞密度，降低沟道电阻，从而实现降低导通电阻的目的。

基本信息

专利标题：

一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021952423.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-08

授权号：

CN213093207U

授权日：

2021-04-30

发明人：

杜蕾孙军张振中和巍巍汪之涵

申请人：

深圳基本半导体有限公司

申请人地址：

广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202021952423.0

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L29/16 H01L21/336