一种碳化硅二极管元胞结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅二极管元胞结构，包括矩形元胞，矩形元胞包括P型注入区和n型区域，P型注入区包括中心P型注入区和外侧P型注入区，n型区域包括无注入n型区域，其中：P型注入区为圆形，其位于矩形元胞中的中心；无注入n型区域为圆环或圆角矩形，其与P型注入区同心，其内侧和外侧分别与P型注入区和外侧P型注入区相接；外侧P型注入区为矩形或圆角矩形，其位于矩形元胞中的外侧。本实用新型提升了碳化硅二极管的浪涌电流及雪崩电流耐量，同时简化了工艺步骤，提高了开关效率。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅二极管元胞结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921698384.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-11
授权号 ：
CN210325808U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
郑柳
申请人 ：
重庆伟特森电子科技有限公司
申请人地址 ：
重庆市北碚区云汉大道117号附237号
代理机构 ：
重庆中流知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭桂林
优先权 ：
CN201921698384.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
