一种侧墙肖特基接触的碳化硅沟槽SBD器件元胞结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种侧墙肖特基接触的碳化硅沟槽SBD器件元胞结构，所述元胞结构的沟槽底部及顶部凸起块的上部设置有离子注入形成的P型层，在沟槽的侧面淀积了金属并形成侧面的肖特基接触，即侧墙肖特基接触，所述侧墙肖特基接触的外围包裹了阳极金属层。本申请中P型区将侧墙的肖特基区包裹屏蔽住，实现肖特基区表面电场的减弱与屏蔽；而沟槽的底部表面及顶部凸起块的顶部表面处P型层具有表面高浓度分布，与阳极金属间形成欧姆接触，以增强器件的抗浪涌电流能力。
基本信息
专利标题 ：
一种侧墙肖特基接触的碳化硅沟槽SBD器件元胞结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022448627.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
CN212967715U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
宋召海
申请人 ：
华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区地盛西路6号院3号楼3层302-2
代理机构 ：
北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宇锋
优先权 ：
CN202022448627.7
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L29/47
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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