一种基于肖特基结构的沟槽式功率器件
授权
摘要
本实用新型提出一种基于肖特基结构的沟槽式功率器件，包括N型半导体基片，其上表面开有若干个垂直沟槽，沟槽内壁及其外围设置栅氧化层，沟槽之间的表面下方形成N+注入层，沟槽内填满导电多晶硅，沟槽上方及其外围上覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上覆盖金属层，金属层向下延伸至引线孔内，引线孔与N+注入层之间形成扇状的P+注入层，N+注入层下方、沟槽与P+注入层之间形成扇状的P－注入层。本实用新型的正向压降小，反向恢复损耗低，快关速度高，反向恢复曲线较软，可靠性增加。
基本信息
专利标题 ：
一种基于肖特基结构的沟槽式功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921935608.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-11
授权号 ：
CN210607276U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
丁磊侯宏伟顾挺
申请人 ：
张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市凤凰镇港口工业园华泰路1号凯思半导体
代理机构 ：
南京天华专利代理有限责任公司
代理人 ：
夏平
优先权 ：
CN201921935608.8
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L21/329
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法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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