本发明是沟槽型肖特基器件及其制造方法，结构是元胞结构为六角形，沟槽顶部形貌倾斜，势垒层金属界面垂直方向上低于接触金属层界面。方法：1)外延片上生长氧化层；2)沟槽光刻刻蚀；3)沟槽内生成栅氧；4)沟槽多晶硅填充；5)多晶硅回刻；6)湿法去除氧化层；7)高温热氧化；8)SiN淀积、ILD二氧化硅层淀积；9)肖特基接触孔光刻，湿法二氧化硅去除；10)SiN/热氧化层干法刻蚀；11)肖特基势垒金属溅射；12)势垒金属合金/势垒金属去除；13)HPD淀积；14)接触金属溅射；15)接触金属光刻刻蚀；16)背金减薄。优点：元胞面积利用最大化，与工艺流程匹配度高；势垒金属更好在沟槽内部积累；避免漏电通道。