整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件，它包括N‑型硅衬底、栅极氧化层、屏蔽栅多晶硅、栅极导电多晶硅、P‑型体区、N+型源区、第一正面金属、掩蔽层、势垒合金、P‑型柱、第二正面金属与背面金属。本实用新型将高功效沟槽MOS与肖特基二极管集成并联在一个元胞里，缩减电路的器件个数，同时也集成双器件的功能，有效保证开关的恢复效率，减少了并联体内寄生二极管的导通损耗，也整体降低器件的应用成本。
基本信息
专利标题 ：
整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122801221.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
CN216311779U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
陈宏张子敏王宇澄虞国新
申请人 ：
无锡先瞳半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3栋811
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
涂三民
优先权 ：
CN202122801221.7
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L29/872
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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