一种沟槽肖特基二极管

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摘要

本实用新型公开了一种沟槽肖特基二极管，包括安装块，所述安装块的外侧设置有散热板，且散热板的内部设置有导热硅脂，所述散热板的外侧连接有散热铝片，所述安装块的底端连接有连接块，且连接块的内部设置有绝缘层，所述绝缘层内部的中间位置处设置有引脚，且引脚的外侧连接有编织层。本实用新型通过设置的散热板、散热铝片、导热硅脂，实现了在安装块运行的时候，安装块会从内部发出热量，然后热量会被导热硅脂接收进行疏导，因为导热硅脂的化学性质是既具有优异的电绝缘性，又有优异的导热性，同时具有低游离度，耐高低温、耐水、臭氧、耐气候老化，所以可以将安装块产生的热量传输给散热铝片，由散热铝片进行被动散热。

基本信息

专利标题：

一种沟槽肖特基二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920457138.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-04

授权号：

CN209471950U

授权日：

2019-10-08

发明人：

王志强

申请人：

深圳市和芯电子有限公司

申请人地址：

广东省深圳市宝安区松岗街道红星社区格布统建楼3栋25层2505-2508号

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

汤东凤

优先权：

CN201920457138.2

主分类号：

H01L23/367

IPC分类号：

H01L23/367 H01L23/373 H01L23/544 H01L23/48 H01L29/872