肖特基二极管

授权

摘要

本申请实施例提供一种肖特基二极管，涉及半导体器件制造领域。在本实施例中，通过在氧化层开设朝向外延层凹陷的防水槽，并在氧化层上制作填充于防水槽并在该防水槽对应的位置处形成与防水槽相互咬合并凸起的钝化层。钝化层与氧化层通过上述凹凸咬合结构层叠在一起，在肖特基二极管使用过程中，即便工作温度发生变化，钝化层与氧化层结合处的剪切力也不足以形成供水汽侵入肖特基结的微小缝隙。同时，因氧化层开设有防水凹槽，即便环境中存在水汽，水汽在侵入时也会聚集在防水凹槽，不会进入到肖特基结，确保肖特基二极管不会失效。

基本信息

专利标题：

肖特基二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020634011.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-24

授权号：

CN211605162U

授权日：

2020-09-29

发明人：

刘彦涛孟鹤邢文超杨硕杨旭魏春雨吕飞王斌姜舫宋美丽

申请人：

吉林华微电子股份有限公司

申请人地址：

吉林省吉林市高新区深圳街99号

代理机构：

成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

唐维虎

优先权：

CN202020634011.6

主分类号：

H01L29/872

IPC分类号：

H01L29/872 H01L21/329 H01L29/06