一种肖特基二极管
授权
摘要
本实用新型涉及一种肖特基二极管，包括：N型衬底；N型外延层，层叠于N型衬底上；掺杂N层，层叠于N型外延层上；深沟槽，设置在N型外延层和掺杂N层中，深沟槽内填充有多晶硅，多晶硅与深沟槽之间填充有二氧化硅层；相邻深沟槽之间的掺杂N层上设置有肖特基接触区，肖特基接触区上设置有金属层，金属层与多晶硅区通过金属互联线连接；相邻深沟槽之间的区域构成JFET区域，JFET区域在纵向和横向方向均具有高斯分布的离子源掺杂。本实用新型的肖特基二极管能在保证低导通功耗的基础上提供高反向耐压能力，而且在不提高漏电的情况下，降低了器件导通压降。
基本信息
专利标题 ：
一种肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022510754.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN214012948U
授权日 ：
2021-08-20
发明人 ：
杨进姚强
申请人 ：
西安精匠华鹤电子科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区锦业路69号创业研发园瞪羚谷裙楼70102号房109室
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高晓倩
优先权 ：
CN202022510754.5
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06
法律状态
2021-08-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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