一种肖特基二极管
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种改进的肖特基二极管，它可以在更精确地控制接触面积的前提下，有效地改善了肖特基结的侧面接触。它形成于一轻掺杂的N阱中，在N阱之上有硅化物合金层和至少一个接触区域，所述接触区域其具有高掺杂的N型层，所述硅化物合金层与N阱掺杂区域形成肖特基接触，所述硅化物合金层与接触区域形成欧姆接触，其中，在肖特基接触和欧姆接触之间有一层硅化物阻挡层，用于隔离肖特基接触和欧姆接触。所述轻掺杂的N阱为普通轻掺杂的N阱。
基本信息
专利标题 ：
一种肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1988180A
申请号 ：
CN200510111690.9
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐向明李平梁
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111690.9
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872
法律状态
2009-12-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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