氮化镓肖特基二极管
授权
摘要
本实用新型提供一种氮化镓肖特基二极管，其包括依序堆栈的第二金属电极层、金属基板、键合金属层、奥姆接触金属层、单晶氮化镓半导体材料层、氮化镓电流飘移层、埋入氧化层及第一金属电极层，其主要由采用高导电性的金属基板，以达到增进导热效果及低电阻率效果。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020685478.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-29
授权号 ：
CN212136453U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
江守权
申请人 ：
得力新应用材料有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市东区东势街163号3楼
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202020685478.3
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L23/367 H01L21/329
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法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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