一种氮化镓基肖特基二极管
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摘要
本实用新型公开了一种氮化镓基肖特基二极管，涉及半导体技术领域，该新型结构的氮化镓基肖特基二极管包括衬底及其上的N+氮化镓外延层，N+氮化镓外延层上制作有呈间隔结构的N‑GaN外延层，N‑GaN外延层上制作有P‑GaN外延层，P‑GaN外延层上制作有介质层；阴极金属电极与N+氮化镓外延层形成欧姆接触，阳极金属电极与P‑GaN外延层形成肖特基接触；该新型结构的氮化镓基肖特基二极管可以大幅降低漏电，提升器件耐压，同时在肖特基势垒引入了P‑GaN外延层，可以有效提升肖特基势垒高度。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓基肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020289473.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-10
授权号 ：
CN211295112U
授权日 ：
2020-08-18
发明人 ：
范捷万立宏王绍荣
申请人 ：
江苏丽隽功率半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市五湖大道11号蠡湖科创中心南楼1209室
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
过顾佳
优先权 ：
CN202020289473.9
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06
法律状态
2020-08-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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