肖特基二极管

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型公开了肖特基二极管。肖特基二极管包括：位于衬底一侧的外延层，包括漂移区、第二掺杂类型区和多个孤立的结型场效应区，漂移区和结型场效应区具有第一掺杂类型，第二掺杂类型区和结型场效应区位于漂移区远离衬底的一侧，第二掺杂类型区环绕结型场效应区设置且连通，第二掺杂类型区中的第一子区域和第二子区域分别位于相邻两个结型场效应区之间，第二子区域的面积大于第一子区域的面积；第一金属层位于外延层远离衬底的一侧，并与第二掺杂类型区形成欧姆接触；第二金属层覆盖外延层和第一金属层，并与结型场效应区形成肖特基接触；阳极和阴极，阴极位于衬底远离外延层的一侧，阳极位于第二金属层远离外延层的一侧。

基本信息

专利标题：

肖特基二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022128795.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-24

授权号：

CN213184303U

授权日：

2021-05-11

发明人：

倪炜江

申请人：

芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙）

申请人地址：

安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼104-1

代理机构：

北京知帆远景知识产权代理有限公司

代理人：

崔建锋

优先权：

CN202022128795.8

主分类号：

H01L29/872

IPC分类号：

H01L29/872 H01L29/06 H01L29/417 H01L21/329 H01L21/34