高抗静电肖特基二极管

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种高抗静电肖特基二极管，其内部结构包括N-外延层、基片、用来消除边缘区域电场的二氧化硅和P型保护环；在金属势垒区内，在原先肖特基二极管上向N-外延层方向扩散多个P型点阵二极管，并与P型保护环所形成的保护二极管并联；本发明改进后的肖特基二极管，由静电产生的瞬间浪涌电流可以迅速从P型点二极管阵流出，大大提高了二极管的抗静电能力，延长了使用寿命。

基本信息

专利标题：

高抗静电肖特基二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820160635.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-10-14

授权号：

CN201435391Y

授权日：

2010-03-31

发明人：

何永成

申请人：

常州星海电子有限公司

申请人地址：

213163江苏省常州市新北区天目湖路1号

代理机构：

南京众联专利代理有限公司

代理人：

顾伯兴

优先权：

CN200820160635.8

主分类号：

H01L29/872

IPC分类号：

H01L29/872 H01L23/60