肖特基二极管

授权

摘要

本申请是关于一种肖特基二极管。肖特基二极管包括氮化物沟道层；氮化物势垒层，氮化物势垒层形成于氮化物沟道层上；氮化物冒层，氮化物冒层形成于氮化物势垒层上，氮化物冒层包括激活区域和非激活区域；钝化层，钝化层形成于位于氮化物冒层上，钝化层包括第一凹槽，第一凹槽贯穿钝化层并暴露氮化物冒层，第一凹槽对应于激活区域；介质层，介质层位于钝化层上以及第一凹槽的内壁上，且介质层围成第二凹槽，介质层包括第三凹槽，第三凹槽贯穿介质层并暴露氮化物冒层上的部分激活区域；阳极层，阳极层形成在第二凹槽和第三凹槽内，阳极层与激活区域接触。

基本信息

专利标题：

肖特基二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020055062.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-01-10

授权号：

CN211654831U

授权日：

2020-10-09

发明人：

程凯

申请人：

苏州晶湛半导体有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室

代理机构：

北京博思佳知识产权代理有限公司

代理人：

王婵

优先权：

CN202020055062.3

主分类号：

H01L29/872

IPC分类号：

H01L29/872 H01L29/06 H01L21/335