一种肖特基二极管
授权
摘要
本实用新型公开一种肖特基二极管，所述肖特基二极管包括自下向上依次层叠设置的N型外延层以及势垒金属层，所述N型外延层的上侧形成有沿前后向延伸的沟槽，所述沟槽内填充有沟道结构，所述沟道结构包括栅氧化层、位于所述栅氧化层两侧的两个多晶硅层和位于所述两个多晶硅层两侧的两个P型轻掺杂层，所述N型外延层的上侧设有与所述P型轻掺杂层连接的P型重掺杂层，且所述P型重掺杂层与所述势垒金属层接触。本实用新型提供的肖特基二极管，正是利用P型重掺杂层与势垒金属层形成欧姆接触，P型轻掺杂层做电导调制层，在不影响肖特基二极管开关特性的前提下，大大提高器件的抗浪涌能力。
基本信息
专利标题 ：
一种肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123074215.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
CN216698373U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
单亚东谢刚胡丹
申请人 ：
广微集成技术（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科智西路5号科苑西25栋A609
代理机构 ：
深圳市恒程创新知识产权代理有限公司
代理人 ：
王启蒙
优先权 ：
CN202123074215.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872 H01L21/329
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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