多级沟槽肖特基二极管
授权
摘要
本申请公开了一种多级沟槽肖特基二极管，肖特基二极管包括：外延片，包括半导体基底以及位于半导体基底表面上的外延层；设置在外延层背离半导体基底一侧的深沟槽，包括在第一方向上依次排布的多个子沟槽；第一方向为深沟槽的开口指向底部的方向；相邻的两个子沟槽中，靠近深沟槽底部的子沟槽的宽度小于远离深沟槽底部的子沟槽的宽度；深沟槽的侧壁以及底部具有掺杂层；外延层背离半导体基底一侧表面内具有包围深沟槽开口的电场缓冲区，与掺杂层接触；位于半导体基底背离外延层一侧的阴极；位于深沟槽内的填充结构以及阳极，填充结构位于阳极与深沟槽的底部之间；掺杂层以及电场缓冲区均是与外延层反型掺杂。
基本信息
专利标题 ：
多级沟槽肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123436685.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
CN216488076U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
袁俊
申请人 ：
湖北九峰山实验室
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖高新技术开发区未来科技城B4-5楼
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
耿苑
优先权 ：
CN202123436685.9
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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