一种低VF沟槽型肖特基二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种低VF沟槽型肖特基二极管，包括二极管本体，所述二极管本体的两侧均开设有限位槽，所述限位槽内设置有散热板，所述散热板和二极管本体之间通过卡合方式进行连接，所述二极管本体的底端固定连接有连接触脚，所述连接触脚的数量设置为三个，所述连接触脚上设置有安装基座，所述连接触脚和安装基座之间通过插接方式进行连接。本实用新型具有结构合理、使用方便的特点，通过设置的限位槽和散热板之间的相互配合，从而可以将二极管本体上的热量及时散出，通过设置的安装基座和连接触脚之间的相互配合，进而可以让安装基座和连接触脚通过插拔的方式进行组装，从而可以让二极管本体的更换更加方便。
基本信息
专利标题 ：
一种低VF沟槽型肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122840542.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
CN216528875U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
王兴超路尚伟林延峰
申请人 ：
山东沂光集成电路有限公司
申请人地址 ：
山东省临沂市郯城县高科技电子产业园A7栋
代理机构 ：
安徽爱信德专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
谌丹
优先权 ：
CN202122840542.8
主分类号 ：
H01L23/40
IPC分类号 ：
H01L23/40 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/40
用于可拆卸冷却或加热装置的安装或固定装置
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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