一种沟槽式肖特基二极管
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摘要
一种沟槽式肖特基二极管，包括一基板，其包括一高掺杂浓度N型硅基板及一位在该高掺杂浓度N型硅基板上方的低掺杂浓度N型外延层；该低掺杂浓度N型外延层的上部具有多个位在该基板外侧区域的外侧沟槽及多个位在该基板内侧区域的内侧沟槽；各外侧沟槽的底部下方具有一P型注入区域；一栅极氧化层覆盖在各外侧沟槽及各内侧沟槽内部及该低掺杂浓度N型外延层上位在最外侧的内侧沟槽的外侧的上表面上；各外侧沟槽及各内侧沟槽的内部填充一多晶硅结构，其覆盖在对应的栅极氧化层上方；一掩膜层覆盖于各外侧沟槽的多晶硅结构上方及最外侧的内侧沟槽的外侧的栅极氧化层上方；一金属溅镀层覆盖在该低掺杂浓度N型外延层上位在各内侧沟槽之间的上表面。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽式肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021065784.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-10
授权号 ：
CN212342642U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
费龙庆张崇健
申请人 ：
奈沛米(上海)半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区泥城镇云汉路979号2楼
代理机构 ：
北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何佳
优先权 ：
CN202021065784.3
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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