一种集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT芯片
授权
摘要
本实用新型涉及一种集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT芯片，包括底层的背P+发射区，在背P+发射区上方依次设有N+缓冲层以及N‑型基区，在N‑型基区上方设有两个N‑型基区凸起，在两个N‑型基区凸起上方依次设有P型基区以及N+集电区，在N+集电区、P型基区和N‑型基区外侧覆盖有栅氧化层，栅氧化层外侧沟槽填充有多晶栅，多晶栅被两个N‑型基区凸起分割为中间沟槽多晶栅以及外侧沟槽多晶栅，栅电极和外侧沟槽多晶栅连接，集电极和背P+发射区连接，发射极贯穿N+集电区深入P型基区，中间沟槽多晶栅接触的栅氧化层变薄形成薄栅氧化层，肖特基中间栅电极连接N+集电区、薄栅氧化层以及和中间沟槽多晶栅。有益效果是可以提高沟槽IGBT芯片开关速度。
基本信息
专利标题 ：
一种集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921456797.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-04
授权号 ：
CN210467837U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
陆怀谷
申请人 ：
深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区49区河东商业城华创达文化科技产业园9栋（F座）2-6楼501
代理机构 ：
上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张宁展
优先权 ：
CN201921456797.0
主分类号 ：
H01L27/07
IPC分类号 ：
H01L27/07 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
H01L27/07
有源区共用的组件
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
