一种新型双沟槽的肖特基二极管
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摘要
本实用新型公开了一种新型双沟槽的肖特基二极管，包括N+型衬底和N‑型外延层，所述N+型衬底上表面设置有N‑型外延层，所述N型外延层上表面的芯片外圈对称开设有1个或多个降压环，所述N‑型外延层上表面的中心处均匀开设有第一沟槽，所述N‑型外延层上表面位于所述两个第一沟槽之间开设有第二沟槽，所述降压环和第一沟槽内壁设有氧化硅绝缘层，所述降压环和第一沟槽内部均填充有多晶硅；本实用新型通过在N‑型外延层表面设置第一沟槽和第二沟槽，采用双沟槽设计，通过第一沟槽可以在芯片反向通电流时有效阻断电流，通过第二沟槽可有效增大肖特基界面的面积，大大的增加了导电面积减小正向压降，提高产品导通时的效率。
基本信息
专利标题 ：
一种新型双沟槽的肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021477848.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-24
授权号 ：
CN212542446U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
薛涛关仕汉迟晓丽
申请人 ：
淄博汉林半导体有限公司
申请人地址 ：
山东省淄博市高新区政通路135号高科技创业园C416室
代理机构 ：
淄博川诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
高鹏飞
优先权 ：
CN202021477848.0
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L29/47
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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