一种肖特基二极管的沟槽结构

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摘要

本实用新型公开了肖特基二极管技术领域的一种肖特基二极管的沟槽结构，包括N型衬底，所述N型衬底顶部外壁右侧设有正面接触金属，所述正面接触金属左端延伸至介质层顶部，所述正面接触金属包括设置在介质层顶部的终端区，所述终端区右侧设有过渡区，所述过渡区右侧设置有有源区，所述过渡区和有源区底部与N型衬底顶部连接，所述正面接触金属与沟槽之间的N型衬底上表面覆盖有势垒金属，所述势垒金属与正面接触金属底部接触，肖特基采用该沟槽结构，会使正向压降VF较低，具有普通二极管无法超越的优势，可以降低在二极管上消耗的功率，终端区和有源区为相同的沟槽结构，耐压能力强，终端区占整个芯片面积比例小。

基本信息

专利标题：

一种肖特基二极管的沟槽结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921672831.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-10-09

授权号：

CN210429830U

授权日：

2020-04-28

发明人：

陆亚斌吴昊王成

申请人：

傲威半导体无锡有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区龙山路4号B幢1206

代理机构：

上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

衣然

优先权：

CN201921672831.8

主分类号：

H01L29/872

IPC分类号：

H01L29/872 H01L29/06