一种沟槽式MOS型肖特基二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种沟槽式MOS型肖特基二极管，包括线路板本体，以及设置在线路板本体上的二极管本体和稳定杆，二极管本体的外壁套设有第一半环套管和第二半环套管，第一半环套管和第二半环套管朝向稳定杆的一端设置有导杆，稳定杆上设置导孔，导孔与导杆滑动套接，导杆上设置有挡块，第一半环套管上设置有插块，第二半环套管上设置有插槽，插块和插槽插接，第一半环套管和第二半环套管的插块插接位置设置有插柱。实现了对二极管本体的外壁面进行稳定套接，避免焊接在线路板本体上的二极管本体产生晃动，提高了焊接在线路板本体上的二极管本体的稳定性，避免了半环套管对二极管本体产生直接挤压。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽式MOS型肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922047788.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN210743954U
授权日 ：
2020-06-12
发明人 ：
周炳赵承杰许新佳
申请人 ：
张家港意发功率半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港经济开发区(国泰北路1号留学生创业园)
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
王丽
优先权 ：
CN201922047788.2
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872
法律状态
2020-06-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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