一种沟槽肖特基二极管
授权
摘要
本实用新型涉及二极管技术领域，且公开了一种沟槽肖特基二极管，包括二极管壳体，所述二极管壳体的左侧固定连接有引脚，所述二极管壳体的右侧活动连接有安装板，所述二极管壳体的顶部活动连接有顶盖，所述二极管壳体的底部固定连接有底座，所述底座的内部活动连接有散热片。该沟槽肖特基二极管，通过同时将两个L形杆向相对的一侧进行挤压，使得L形杆带动套筒向连接杆方向移动，然后将L形杆向上移动，并带动安装板一同向上移动，当套筒位于工形槽内部的顶端时，放开被挤压的两个L形杆，使得套筒通过弹簧的弹力被弹开，并通过弹簧的弹紧力使得套筒与工形槽内部的顶部固定，从而便可对二极管壳体底部的散热片进行更换。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020390128.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-24
授权号 ：
CN211428178U
授权日 ：
2020-09-04
发明人 ：
马奕俊
申请人 ：
深圳辰达行电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区华强北街道华航社区中航路7号鼎诚国际大厦2601
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020390128.4
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L23/31 H01L23/367
法律状态
2020-09-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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