太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片
公开
摘要
本发明提供了一种太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片，属于半导体技术领域，包括制备外延晶圆片；肖特基二极管基本结构制作；减薄外延晶圆片；在减薄后的外延晶圆片背面涂预设厚度的低介质胶，形成低介电常数衬底；在低介电常数衬底的表面粘接临时保护性基板；去除外延晶圆片正面的临时性磨片基板；阳极阴极隔离腐蚀；一次固化低介电常数衬底；去除低介电常数衬底表面的临时保护性基板；二次固化所述低介电常数衬底，完成芯片的制作。本发明提供的太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，直接能够制造小于10微米的异构衬底，无需对异构替换后的衬底做减薄处理，且直接涂胶固化形成衬底，制作容易，工艺参数易于控制。
基本信息
专利标题 ：
太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582724A
申请号 ：
CN202210086524.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨大宝邢东刘波赵向阳冯志红
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市合作路113号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
张一
优先权 ：
CN202210086524.1
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L21/683 H01L29/872
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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