图形化衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种图形化衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片，衬底包括：衬底本体（110）；周期性的凸起图案结构（120），设置于该衬底本体（110）上；凸起图案结构（120）包括位于顶部的SiO2层或DBR层（122）、位于中部的SOG层（121）以及与衬底本体材质相同的底部图案层（123），且顶部的SiO2层或DBR层（122）的折射率大于中部的SOG层（121）的折射率。在本实用新型中的图形化衬底上生长外延结构时，能够有效阻止靠近衬底处的晶体缺陷向外延结构的量子阱部位蔓延，且该图形化衬底能够有效提高光反射率，两方面协同作用，能够有效提升最终LED芯片的光效。
基本信息
专利标题 ：
图形化衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123359871.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
CN216528932U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
付星星芦玲
申请人 ：
淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市清河新区景秀路6号
代理机构 ：
淮安市科文知识产权事务所
代理人 ：
廖娜
优先权 ：
CN202123359871.7
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/22
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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