一种衬底可剥离式LED外延结构及LED芯片
授权
摘要
本实用新型提供了一种衬底可剥离式LED外延结构及LED芯片，衬底可剥离式LED外延结构包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlAs牺牲层和半导体层，GaAs缓冲层设置于GaAs衬底上，AlAs牺牲层设置于GaAs缓冲层上；AlAs牺牲层上设置有多个凹陷部，半导体层设置于AlAs牺牲层上。与现有技术相比，本技术方案的有益效果是：本实用新型通过在AlAs牺牲层上设置有凹陷部，多个凹陷部在外延结构的横截面上形成波浪线状的切面边缘，使得半导体层的下表面之间通过凹凸不平的接触面贴合在一起，借助凹凸不平的接触面来提高腐蚀效果和降低AlAs牺牲层和半导体层之间的应力，进而实现GaAs衬底的轻松剥离，从而降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种衬底可剥离式LED外延结构及LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020347522.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-18
授权号 ：
CN211350682U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
黄文洋林雅雯黄国栋黄嘉宏杨顺贵
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴志益
优先权 ：
CN202020347522.X
主分类号 ：
H01L33/22
IPC分类号 ：
H01L33/22 H01L33/12 H01L33/06
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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