外延片剥离装置
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种外延片剥离装置，包括：多个腔室，多个腔室至少包括剥离腔、清洗干燥腔、加热腔以及沉积腔；外延片在不同腔室转运时处于抽真空环境中；剥离腔用于将衬底与外延片进行剥离，清洗干燥腔用于对剥离后的外延片进行清洗干燥；加热腔内部设有加热装置，加热装置用于对清洗干燥后的外延片进行加热，以去除水分及减少外延片的沉积时间；沉积腔基于加热后的外延片进行沉积。本申请可以有效提高半导体器件性能。
基本信息
专利标题 ：
外延片剥离装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420635A
申请号 ：
CN202111632095.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王国斌刘宗亮
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭凤杰
优先权 ：
CN202111632095.5
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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