一种易剥离的大面积氮化镓外延生长方法
公开
摘要
本发明公开了一种易剥离的大面积氮化镓外延生长方法，解决了现有的外延氮化镓质量较差且不易剥离等问题。本发明包括如下步骤：步骤1：准备Cu<111>单晶衬底；步骤2：在步骤1的Cu<111>单晶衬底上生长石墨烯二维材料层；步骤3：在步骤2生长的石墨烯二维材料层上外延生长GaN膜；步骤4：将步骤3得到的GaN膜降至室温得到平整的GaN膜。本发明具有生成的GaN外延膜质量好、位错密度低、易剥离等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种易剥离的大面积氮化镓外延生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613664A
申请号 ：
CN202210230279.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孔玮杨军马亚庆
申请人 ：
西湖大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区云栖小镇石龙山街18号
代理机构 ：
北京众达德权知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晓冬
优先权 ：
CN202210230279.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C30B25/18 C30B29/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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