提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用。所述提高外延生长氮化镓晶体质量的方法包括：在温度为1100～1200℃、压力为500～800torr，且交替输入纯氢气和纯氮气的条件下，对小于等于20nm厚度的氮化铝缓冲层进行长时间退火和刻蚀处理；之后，在氮化铝缓冲层上沉积氮化镓材料。采用本发明实施例提供的一种提高外延生长氮化镓晶体质量的方法，可以稳定的降低氮化镓薄膜的位错密度接近1个数量级，具有很好的实际应用价值。
基本信息
专利标题 ：
提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420532A
申请号 ：
CN202011171599.7
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王国斌王建峰徐科
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
赵世发
优先权 ：
CN202011171599.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C30B25/16 C30B25/18 C30B28/14 C30B29/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20201028
申请日 : 20201028
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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