利用氨热法生长氮化镓晶体的生长装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种利用氨热法生长氮化镓晶体的生长装置。所述生长装置包括反应容器和搅拌装置，所述搅拌装置包括动作部和驱动部，所述动作部设置于所述反应容器的内部，所述驱动部设置于所述反应容器的外部，所述驱动部与所述动作部传动连接，使得所述动作部在所述驱动部的驱动下运动以加快所述反应容器内部的介质的对流速度。本实用新型的利用氨热法生长氮化镓晶体的生长装置能够加快介质的对流，进而加快氮化镓晶体的生长速度。
基本信息
专利标题 ：
利用氨热法生长氮化镓晶体的生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921087741.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-10
授权号 ：
CN210151246U
授权日 ：
2020-03-17
发明人 ：
乔焜高明哲林岳明
申请人 ：
上海玺唐半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区文翔东路58号9幢1楼
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201921087741.2
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B7/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2020-03-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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