一种具备氨泄漏检测功能的氮化镓晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种具备氨泄漏检测功能的氮化镓晶体生长装置，属于氮化镓晶体生长领域，其包括内部设置热区的热等静压工作缸、置于热区中的生长容器，以及用于检测氨泄漏的检测装置，氮化镓晶体的生长在生长容器中完成；检测装置包括氨气检测仪，检测装置将热区中的部分气体导出，并经过减压后置入氨气检测仪进行检测；解决的问题：氨热法使用的溶剂为超临界氨，具有腐蚀性，晶体生长环境通常为高温高压环境，一旦反应容器因密封问题造成超临界氨的泄漏，便会对热等静压装置的内壁以及热等静压装置内的贵重附件造成腐蚀，进而对设备成本、后期维修和生产周期都造成影响。
基本信息
专利标题 ：
一种具备氨泄漏检测功能的氮化镓晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122759525.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-11
授权号 ：
CN216514243U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
乔焜郑革林岳明吴小平
申请人 ：
深圳威镓芯材半导体科技有限公司;四川航空工业川西机器有限责任公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区华富街道新田社区彩田路3030号橄榄鹏苑B座2706
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122759525.1
主分类号 ：
C30B7/10
IPC分类号 ：
C30B7/10 C30B29/40 G08B21/14 G08B25/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/10
加压法，例如水热法
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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