一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉
授权
摘要
本实用新型涉及一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉，石英管上部安装坩埚托盘，坩埚托盘上部安装坩埚，坩埚内为氮化铝原料粉体，坩埚上部安装籽晶支架，籽晶支架上部安装第一晶片压环、第二晶片压环，第一晶片压环、第二晶片压环上部为原料籽晶，保温贴位于坩埚外部，保温贴上的线圈为感应线圈。本实用新型能在2400℃长时间稳定工作，氮化铝晶体生长的温度均匀性好，线圈保证恒温状态。
基本信息
专利标题 ：
一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021451522.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-22
授权号 ：
CN213266786U
授权日 ：
2021-05-25
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市松北区创新路1616号16号楼301-30号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021451522.0
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/38
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2021-05-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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