本发明公开了一种物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法，所述方法包括：S1，将氮化铝原料固定于坩埚内壁四周；S2，将籽晶固定于坩埚内晶体生长腔中间位置；S3，将坩埚放入高温炉中，通入高纯氮气，升温至预设温度，并调节至所述籽晶周围形成小温梯进行氮化铝单晶生长，保温一段时间。在温度梯度的作用下，四周的气相物质朝向籽晶传输，并在籽晶周围形成Al气压的低过饱和度，形成籽晶高质量层流生长模式下的高速生长。本发明采用的制备氮化铝单晶的物理气相传输法，改变了目前传统物理气相传输法中原料、籽晶的排布方式、以及热场分布，在籽晶周围形成良好的层流长晶环境，最后获得高质量结晶的AlN单晶。