一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器
授权
摘要
本发明公开了一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器，包括石墨基材，石墨基材的外表面包覆有硅过渡层，硅过渡层的外表面包覆有TaC涂层，TaC涂层由靠近硅过渡层的一侧至远离硅过渡层的一侧孔隙率逐渐增大。该用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器镓源的挥发效率高、蒸发器石墨基材不易受高温腐蚀性气氛侵蚀、使用寿命更长。
基本信息
专利标题 ：
一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112626620A
申请号 ：
CN202011466005.5
公开（公告）日 ：
2021-04-09
申请日 ：
2020-12-13
授权号 ：
CN112626620B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
余盛杰汪洋潘影刘佳宝柴攀万强
申请人 ：
湖南德智新材料有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市天元区中国动力谷自主创新园（研发中心C栋2楼202号）
代理机构 ：
长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周孝湖
优先权 ：
CN202011466005.5
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B25/02
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-04-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/40
申请日 : 20201213
申请日 : 20201213
2021-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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