两步化学气相沉积法生长稀氮化GaNSb纳米线
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种两步化学气相沉积法生长稀氮化GaNSb纳米线。该方法包括：在双区固相源化学气相沉积系统的源区装载锑化镓、生长区装载催化剂基片；向源区和生长区中通入氢气，并分别加热至第一预设温度；源区的第一预设温度高出生长区的第一预设温度100～260℃；接着向源区和生长区中通入氨气，并分别加热至第二预设温度；源区的第二预设温度高出源区的第一预设温度20～150℃；源区的第二预设温度高出生长区的第二预设温度220～320℃；待源区和生长区达到各自第二预设温度后继续保温反应，然后冷却降温，于生长区得到稀氮化GaNSb纳米线。该方法合成稀氮化GaNSb纳米线具有大纵横比、高密度且表面光滑无岛状寄生。
基本信息
专利标题 ：
两步化学气相沉积法生长稀氮化GaNSb纳米线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114516658A
申请号 ：
CN202011291234.8
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何颂贤王巍叶晨宝
申请人 ：
香港城市大学深圳研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新区南区粤兴一道8号
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘鑫
优先权 ：
CN202011291234.8
主分类号 ：
C01G30/00
IPC分类号 ：
C01G30/00 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G30/00
锑的化合物
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 30/00
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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