一种低压化学气相沉积生长氧化镓薄膜的方法
授权
摘要
本发明涉及一种低压化学气相沉积生长氧化镓薄膜的方法，该方法通过低压化学气相沉积生长出氧化镓外延薄膜，然后进行原位后退火处理对薄膜进行处理；原位后退火处理，工艺操作简单，能够促进薄膜的重结晶，引起薄膜表面颗粒的重熔和凝聚，进而降低表面粗糙度；并且还能够改善界面缺陷，显著提高了Ga2O3薄膜的晶体质量。本发明的方法低压化学气相沉积(LPCVD)技术设备较为简单，生长速率较快，重复性较高，成本较低，生长出的氧化镓薄膜，透光率高，质量高。
基本信息
专利标题 ：
一种低压化学气相沉积生长氧化镓薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112647130A
申请号 ：
CN202011306035.X
公开（公告）日 ：
2021-04-13
申请日 ：
2020-11-20
授权号 ：
CN112647130B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
徐明升王帅徐现刚王卿璞彭燕
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省济南市历城区山大南路27号
代理机构 ：
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
张宏松
优先权 ：
CN202011306035.X
主分类号 ：
C30B29/16
IPC分类号 ：
C30B29/16 C30B33/02 C30B25/16 C30B25/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-04-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/16
申请日 : 20201120
申请日 : 20201120
2021-04-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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