氮化镓外延层
实质审查的生效
摘要

本公开涉及氮化镓外延层。例如,提供了一种制造电子器件的方法。该方法包括在硅基衬底上形成介电层,蚀刻掉介电层的部分以形成介电层的剩余部分的交叉网格图案并暴露介电层被去除的区域中的衬底,在衬底上在介电层的剩余部分的侧壁之间的生长区域中形成GaN基层,以及在GaN基层上形成半导体器件。

基本信息
专利标题 :
氮化镓外延层
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114447096A
申请号 :
CN202111116823.7
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2021-09-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李克涛杜晓沨李宁张信
申请人 :
国际商业机器公司
申请人地址 :
美国纽约阿芒克
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
张昊
优先权 :
CN202111116823.7
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06  H01L29/778  H01L21/02  H01L21/335  
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210923
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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