一种氮化镓基外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种氮化镓基外延结构，由下至上包含衬底、成核层、缓冲层和氮化镓层；缓冲层由n个极化掺杂纳米单元层组成，2≤n＜100，所述极化掺杂纳米单元层为组分渐变的AlGaN层，AlGaN层的Al组分含量沿外延生长方向逐渐减小或增加。本实用新型利用周期性极化掺杂纳米单元层，可以减小背景自由电子浓度从而形成高阻值的缓冲层。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓基外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020891889.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-25
授权号 ：
CN212010977U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
房育涛林科闯张恺玄刘波亭郑元宇
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020891889.8
主分类号 ：
H01L29/15
IPC分类号 ：
H01L29/15 H01L29/20 H01L29/778
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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