一种氮化镓外延芯片
授权
摘要
本实用新型涉及一种氮化镓外延芯片，其中，氮化镓外延芯片包括衬底、种子层、缓冲层和氮化镓外延层，所述种子层设于衬底上，所述缓冲层设于种子层和氮化镓外延层之间；所述缓冲层包括两组以上的AlxGa1‑xN层，各组AlxGa1‑xN层的x值不相同。本实用新型在衬底和氮化镓外延层之间增设了种子层和缓冲层，用于改善氮化镓与衬底之间的晶格系数、热膨胀系数等特性的匹配性。具体通过改变衬底与氮化镓外延层之间的铝占比，使铝占比逐渐减少，镓占比逐渐增多，从而提高衬底与氮化镓的晶格系数匹配度，从而保证氮化镓晶格排列错位密度的情况下，能够提高氮化镓的生长厚度。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓外延芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021112403.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-16
授权号 ：
CN212907773U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
李东键叶宏伦钟健钟其龙刘崇志张本义
申请人 ：
璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区秣周东路12号未来科技城U谷R410
代理机构 ：
厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人 ：
罗恒兰
优先权 ：
CN202021112403.2
主分类号 ：
H01L33/32
IPC分类号 ：
H01L33/32 H01L33/04 H01L33/12 H01L33/00
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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