一种紫外LED芯片外延结构及芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种紫外LED芯片外延结构，其包括：衬底；设于所述衬底上的外延层；所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第二半导体层上的折射层；设于所述折射层上的电流扩展层；所述折射层的折射率小于所述第二半导体层的折射率。本实用新型还公开了应用上述外延结构的LED芯片。实施本实用新型，可有效降低紫外LED芯片的全反射效应，提升光效。
基本信息
专利标题 ：
一种紫外LED芯片外延结构及芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020884255.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-22
授权号 ：
CN212342653U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
仇美懿庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN202020884255.X
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/00
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN212342653U.PDF
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