一种外延结构、LED芯片及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种外延结构、LED芯片及其制作方法，其中外延结构包括：图形化的混合生长衬底、N型半导体层、有源区和P型半导体层；混合生长衬底包括蓝宝石衬底及设置在蓝宝石衬底上表面的多个凸起结构和缓冲层，凸起结构为易腐蚀性材料，且相邻凸起结构的底部相互紧挨，形成底部相连的凸起结构，部分凸起结构的底部边沿与蓝宝石衬底上表面的边沿部分重叠，再者缓冲层与蓝宝石衬底的接触面积远小于各所述凸起结构与蓝宝石衬底的接触面积，可使LED芯片能够采用湿法剥离的方法，高效、低成本的剥离蓝宝石衬底。
基本信息
专利标题 ：
一种外延结构、LED芯片及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464712A
申请号 ：
CN202210275391.2
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林志伟崔恒平蔡玉梅陈凯轩蔡建九
申请人 ：
厦门乾照光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市厦门火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210275391.2
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/22 H01L33/12 H01L33/00
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/20
申请日 : 20220321
申请日 : 20220321
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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