一种近红外LED外延结构制作方法及外延结构
实质审查的生效
摘要
本申请实施例公开了一种近红外LED外延结构制作方法及外延结构，该制作方法包括：在衬底表面依次形成N型层、发光层、P型层、过渡层以及欧姆接触层，欧姆接触层为GaP层，P型层包括P型限制层和P型窗口层，P型窗口层为AlxGa1‑xAs层；过渡层包括第一过渡层和第二过渡层，第一过渡层为Al组分含量沿背离衬底表面方向从x均匀减小为0的AlyGa1‑yAs层；第二过渡层为P组分含量沿背离衬底表面方向从0均匀增加为1的GaAs1‑zPz层，从而使得过渡层能够稳定实现P型窗口层到欧姆接触层的晶格与带隙的过渡，有助于提高近红外LED的工作性能，并使得过渡层与P型窗口层以及欧姆接触层实现良好的欧姆接触。
基本信息
专利标题 ：
一种近红外LED外延结构制作方法及外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335265A
申请号 ：
CN202111660695.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张祥蔡和勋马英杰伏兵许宗琦
申请人 ：
扬州乾照光电有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市下圩河路8号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
耿苑
优先权 ：
CN202111660695.2
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 C30B25/18 C30B29/40 C30B29/42 C30B29/44 H01L33/06 H01L33/12 H01L33/30
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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