本发明公开了一种外延结构、制作方法及半导体器件，其具异质衬底、依次形成于异质衬底上方的第一氮化铝层、由氮化铝构成且具有点缺陷的第一调控层、第二氮化铝层；首先将异质衬底置于MOCVD反应室中，生长第一氮化铝层，其次生长第一调控层，生长过程中通入微量金属有机镓源或铟源，经高温退火后，再次生长第二氮化铝层，最后生长其它功能层形成半导体器件的外延，第一氮化铝层的穿透位错延伸至第一调控层，爬升过程中吸收第一调控层中的点缺陷，改变了位错形成能，极大提升了第一调控层中位错发生弯曲闭合湮灭的几率，使第二氮化铝层的位错大幅减少，可制作出位错少、高晶体质量的外延层，降低半导体器件的制作成本，提升生产良率。