一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，所述外延结构包括衬底；位于所述衬底一侧的外延层，所述外延层包括缓冲层，所述缓冲层包括叠层设置的第一类缓冲层和第二类缓冲层，所述第一类缓冲层位于靠近所述衬底的一侧，且所述第一类缓冲层的掺杂浓度大于所述第二类缓冲层的掺杂浓度。采用上述技术方案，通过设置缓冲层包括第一类缓冲层和第二类缓冲层，同时设置第一类缓冲层的掺杂浓度大于第二类缓冲层的掺杂浓度，保证半导体器件中缓冲层的高阻特性的同时保证缓冲层的晶体质量良好，进而提升外延结构以及半导体器件的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335159A
申请号 ：
CN202011065977.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张晖李仕强张乃千裴轶
申请人 ：
苏州能讯高能半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN202011065977.3
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/20 H01L21/335 H01L29/778
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/10
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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