深紫外LED外延片、制备方法及半导体器件
公开
摘要
本发明公开了一种深紫外LED外延片，包括在衬底上依次生长的氮化物缓冲层、氮化物过渡层、n型氮化物层、量子阱有源层、电子阻挡层、接触层；其中，电子阻挡层为BAlN阻挡层；量子阱有源层包括多个交替生长的AlGaN量子阱层/AlGaN量子垒层，及最后一层量子阱结构为AlGaN/BAlN。本发明利用BAIN阻挡层取代常规的p型AlGaN电子阻挡层，可以减小与量子阱的界面缺陷，规避高Al组分AlGaNEBL的p型掺杂问题。同时，为了进一步提升最后一个量子阱的波函数重叠率，在最后一层量子阱采用AlGaN/BAlN，提高了最后一层量子阱的波函数重叠率，量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高了深紫外LED量子阱区域的辐射复合效率，进而提高了深紫外LED的功率和效率。
基本信息
专利标题 ：
深紫外LED外延片、制备方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566578A
申请号 ：
CN202210326620.9
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩娜王国斌
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王广浩
优先权 ：
CN202210326620.9
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/14 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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