半导体外延结构及其制备方法和半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明的实施例提供了一种半导体外延结构及其制备方法和半导体器件，涉及微电子技术领域，半导体外延结构通过在成核层中掺杂硅原子，同时硅原子的初始掺杂浓度与成核层的上表面和沟道层的上表面之间的距离负相关，而硅原子在成核层中通常以施主的形式存在，会释放一个电子，因此在成核层中掺杂适量的硅原子即提供适量的电子后，原先处于半填充状态的能级会优先捕获这些电子而变成全填充或者接近全填充的状态，这样便可大大减少处于半填充状态的能级，进而减少这些能级对器件电子的捕获，便可以增强器件性能同时增加器件的可靠性。同时，通过对硅原子的掺杂浓度的限定，使得硅原子的掺杂不会影响器件的耐压性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体外延结构及其制备方法和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530490A
申请号 ：
CN202011321564.7
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2020-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张晖李仕强钱洪途
申请人 ：
苏州能讯高能半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘曾
优先权 ：
CN202011321564.7
主分类号 ：
H01L29/36
IPC分类号 ：
H01L29/36 H01L21/335 H01L29/778
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/36
申请日 : 20201123
申请日 : 20201123
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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