硅上III-V族半导体外延结构及其制备方法
公开
摘要
本发明实施例提供一种硅上III‑V族半导体外延结构及其制备方法，该方法包括：在硅衬底上直接或间接生长适配层；在所述适配层上直接或间接生长III‑V族半导体目标外延结构；其中，所述适配层包括三元系III族砷化物适配层或二元系III‑V族化合物适配层。该方法生长工艺简单，易调控，对生长设备没有特殊要求。特别是，降低穿透位错密度所需的适配层的厚度薄，使得后续通过增加层数和厚度来优化III‑V族半导体外延结构变为可能，利于硅上高性能III‑V族半导体器件的制备。
基本信息
专利标题 ：
硅上III-V族半导体外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566423A
申请号 ：
CN202011359732.1
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任晓敏张翼东刘昊王琦刘凯
申请人 ：
北京邮电大学
申请人地址 ：
北京市海淀区西土城路10号北京邮电大学
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭亮
优先权 ：
CN202011359732.1
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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