基于温度补偿的半导体外延片的制备方法及半导体外延片
公开
摘要
本发明公开了一种基于温度补偿的半导体外延片的制备方法及半导体外延片。所述制备方法包括：在保护性气氛中对衬底进行多次热处理，得到热处理的加热电流，热处理的温度不高于半导体外延片中指定结构层的最低生长温度，确定热处理的加热电流与指定结构层生长参考的加热电流之间的差值，依据该差值对相应工艺的预设温度进行温度补偿，之后再于衬底上生长半导体外延片，使得补偿调整后实际工艺温度满足外延片性能需求。本发明可通过监控至少一次热处理时加热电流变化情况，提前判定在生长外延片相应结构层时的温度波动，及时进行工艺温度补偿，进而有效提高外延生长均匀性和良率，适用于对波长均匀性要求更高的Micro‑LED外延片生长工艺。
基本信息
专利标题 ：
基于温度补偿的半导体外延片的制备方法及半导体外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566571A
申请号 ：
CN202210448690.1
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-04-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闫其昂王国斌
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王茹
优先权 ：
CN202210448690.1
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/32 C30B29/40 C30B25/10
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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